[实用新型]一种新型变组分变掺杂反射式MIS结构GaN光电阴极

摘要

本实用新型公开了一种新型变组分变掺杂反射式MIS结构GaN光电阴极，该光电阴极结构自上而下由两块ITO导电玻璃、无水乙醇、Cs/O激活层、P型GaN发射层、Al_xGa_1-xN缓冲层、C面蓝宝石衬底组成，其中缓冲层由n个变组分变掺杂Al_xGa_1-xN外延材料构成的单元层组成，Al的含量范围x介于1到0.24之间，掺杂含量依次1x10¹⁹cm^-3到1x10¹⁶cm³梯度渐变；发射层由m个变掺杂GaN单元层组成。该阴极结构通过缓冲层变掺杂变组分结构提高了缓冲层的质量，降低光电子界面复合速率，同时在缓冲层和发射层的变掺杂设计建立了有利于光电子输运的内建电场，提高光电阴极的发射量子效率。

主权项

一种新型变组分变掺杂反射式MIS结构GaN光电阴极，其特征在于：所述的GaN光电阴极由第一ITO导电玻璃(1)、无水乙醇(2)、Cs/O激活层(3)、发射层(4)、Al_xGa_1‑xN缓冲层(5)、C面蓝宝石衬底(6)、以及第二ITO导电玻璃(7)组成；所述的第一ITO导电玻璃(1)置于阴极前端，用来感知表面压电信号；所述的第二ITO导电玻璃(7)置于阴极末端，充当导电接触电极；所述的无水乙醇充当绝缘层材料。