[实用新型]实现低压到高压的转换电路有效
申请号: | 201520140800.3 | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN204392224U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种实现低压到高压的转换电路。实现低压到高压的转换电路包括第一PMOS管、第一电阻、第一NMOS管、第二PMOS管、第二电阻、第二NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一DMOS管和第三电阻。利用本实用新型提供的转换电路能够实现低压到高压转换。 | ||
搜索关键词: | 实现 低压 高压 转换 电路 | ||
【主权项】:
实现低压到高压的转换电路,其特征在于,包括第一PMOS管、第一电阻、第一NMOS管、第二PMOS管、第二电阻、第二NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一DMOS管和第三电阻:所述第一PMOS管的栅极接输入IN和所述第一NMOS管的栅极,源极接1OV电源,漏极接所述第一电阻的一端;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极,另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接输入IN和所述第一PMOS管的栅极,源极接地,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极;所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接10V电源,漏极接所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第二PMOS管的漏极,另一端接所述第二NMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极和所述第一DMOS管的栅极;所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,源极接地,漏极接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的集电极和所述第一DMOS管的栅极;所述第一NPN管的基极接所述第二NPN管的基极和集电极和所述第一DMOS管的源极,集电极接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极和所述第一DMOS管的栅极,发射极接地;所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管的基极和所述第一DMOS管的源极,发射极接地;所述第一DMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极,源极接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和集电极,漏极接所述第三电阻的一端并作为整个转换电路的输出;所述第三电阻的一端接600V电源,另一端接所述第一DMOS管的漏极并作为整个转换电路的输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州宽福科技有限公司;,未经杭州宽福科技有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520140800.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。