[实用新型]一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520170639.4 | 申请日: | 2015-03-25 |
公开(公告)号: | CN204497252U | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 李帅锋;沈一清;赵振国;屈良钱;王飞 | 申请(专利权)人: | 浙江长兴汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0224 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313100 浙江省湖州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池领域,具体涉及一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,包括基板,所述基板上依次设置TCO层、光电转换层和背电极层,所述光电转换层由三结叠层串联组成,包括P1-I1-N1层、P2-I2-N2层和P3-I3-N3层,所述P1-I1-N1层与TCO层连接,所述P3-I3-N3层与背电极层连接,所述P2-I2-N2层设置在P1-I1-N1层和P3-I3-N3层之间;所述P1-I1-N1层和P2-I2-N2层以及P2-I2-N2层和P3-I3-N3层之间均设有中间层;所述背电极层包括反射层和导电层,本实用新型与现有技术相比,能吸收更宽的太阳光谱,减少了太阳光的反射,增加入射光的利用率和光电转换率。 | ||
搜索关键词: | 一种 三叠层非晶锗硅 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,包括基板(1),所述基板(1)上依次设置TCO层(2)、光电转换层和背电极层,其特征在于:所述光电转换层由三结叠层串联组成,包括P1‑I1‑N1层(4)、P2‑I2‑N2层(6)和P3‑I3‑N3层(7),所述P1‑I1‑N1层(4)与TCO层(2)连接,所述P3‑I3‑N3层(7)与背电极层连接,所述P2‑I2‑N2层(5)设置在P1‑I1‑N1层(4)和P3‑I3‑N3层(7)之间;所述P1‑I1‑N1层(4)和P2‑I2‑N2层(6)以及P2‑I2‑N2层(6)和P3‑I3‑N3层(7)之间均设有中间层(5);所述背电极层包括反射层(8)和导电层(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江长兴汉能光伏有限公司,未经浙江长兴汉能光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520170639.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种提高背腐蚀合格率的药液槽
- 下一篇:金属封装大电流、高电压、快恢复二极管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的