[实用新型]一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201520170639.4 申请日: 2015-03-25
公开(公告)号: CN204497252U 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 李帅锋;沈一清;赵振国;屈良钱;王飞 申请(专利权)人: 浙江长兴汉能光伏有限公司
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L31/0224
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 313100 浙江省湖州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及太阳能电池领域,具体涉及一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,包括基板,所述基板上依次设置TCO层、光电转换层和背电极层,所述光电转换层由三结叠层串联组成,包括P1-I1-N1层、P2-I2-N2层和P3-I3-N3层,所述P1-I1-N1层与TCO层连接,所述P3-I3-N3层与背电极层连接,所述P2-I2-N2层设置在P1-I1-N1层和P3-I3-N3层之间;所述P1-I1-N1层和P2-I2-N2层以及P2-I2-N2层和P3-I3-N3层之间均设有中间层;所述背电极层包括反射层和导电层,本实用新型与现有技术相比,能吸收更宽的太阳光谱,减少了太阳光的反射,增加入射光的利用率和光电转换率。
搜索关键词: 一种 三叠层非晶锗硅 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,包括基板(1),所述基板(1)上依次设置TCO层(2)、光电转换层和背电极层,其特征在于:所述光电转换层由三结叠层串联组成,包括P1‑I1‑N1层(4)、P2‑I2‑N2层(6)和P3‑I3‑N3层(7),所述P1‑I1‑N1层(4)与TCO层(2)连接,所述P3‑I3‑N3层(7)与背电极层连接,所述P2‑I2‑N2层(5)设置在P1‑I1‑N1层(4)和P3‑I3‑N3层(7)之间;所述P1‑I1‑N1层(4)和P2‑I2‑N2层(6)以及P2‑I2‑N2层(6)和P3‑I3‑N3层(7)之间均设有中间层(5);所述背电极层包括反射层(8)和导电层(9)。
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