[实用新型]一种高出光率的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201520187888.4 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN204632795U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 沈志强;许智程;李莎莎 | 申请（专利权）人： | 山西南烨立碁光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 胡新瑞 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高出光率的LED芯片结构，具体是提高LED芯片电流扩散、提高最终出光率；采用的技术方案为：一种高出光率的LED芯片结构，包括发光本体，所述发光本体的上端设置有N电极，所述发光本体的下端设置有P电极，所述发光本体和N电极之间设置有P型金属；本实用新型广泛应用于LED芯片技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高出光率 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种高出光率的LED芯片结构，其特征在于：包括发光本体（1），所述发光本体（1）的上端设置有N电极（2），所述发光本体（1）的下端设置有P电极（3），所述发光本体（1）和N电极（2）之间设置有P型金属（4）。
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