[实用新型]高通量组合半导体材料芯片合成设备

摘要

本实用新型公开了一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积的非热力学平衡沉积过程，将靶源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积用于沉积高纯金属薄膜和非吸收性材料的优势，适用于包括金属合金、金属氧化物、介电氧化物，以及纳米结构和薄膜等材料的合成制备；同时装载至少10种不同的氧化物、陶瓷或金属靶源材料，提供包括原位加热、后处理退火和多种气氛工艺控制，以及用于样品存贮和传递的惰性气体手套箱；有效避免材料交叉污染，并解决高活性样品的传递与存贮问题，大大提高了高通量组合半导体材料芯片制备的灵活性和可靠性。

主权项

一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，包括进样室(5)和以进样室(5)为中心的两条样品传递方向上设有的设备，其特征在于，沿第一样品传递杆(1)的传递方向依次设有第一样品传递杆(1)、进样室(5)和超高真空主沉积腔室(7)，沿第二样品传递杆(2)的传递方向依次设有第二样品传递杆(2)、后处理退火与气氛腔(6)、进样室(5)和手套箱(3)；超高真空主沉积腔室(7)的顶部设有样品台(8)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁上设有PLD伸缩靶台(9)、电子束源(10)和掩膜板装置(11)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁还设有与PLD伸缩靶台(9)的激光扫描区域相应的激光入射口(12)；PLD伸缩靶台(9)与样品台(8)的距离小于电子束源(10)与样品台(8)的距离；掩膜板装置(11)上装设有掩膜板和掩膜板的传动控制装置；进样室(5)与超高真空主沉积腔室(7)和手套箱(3)之间均设有插板阀(4)。