[实用新型]一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201520222844.0 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN204497246U 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 李廷凯;李晴风;钟真 申请(专利权)人: 湖南共创光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0352
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强;刘佳芳
地址: 421001 湖南省衡*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池,该电池包括由CIGS吸收层和CdS缓冲层所形成的pn结,所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池的pn结构中的CIGS吸收层为具有能隙梯度的Cuy(In1-xGax)Se2多层结构,其中0≤x≤1,0≤y≤1。这种梯度结构能够分离和捕捉游离电子,在太阳光的激发下,形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。该梯度结构避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成,制备了致密的、晶粒尺寸大小均匀、能隙匹配的高质量的薄膜,同时,梯度结构有利于对太阳光的充分吸收。因而,进一步提高了铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率。
搜索关键词: 一种 具有 梯度 结构 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池,包括由CIGS吸收层和CdS缓冲层所形成的pn结,其特征是,所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池的pn结中的CIGS吸收层为具有能隙梯度的Cuy(In1‑xGax)Se2多层结构,其中0≤x≤1,0≤y≤1;所述Cuy(In1‑xGax)Se2多层结构的能隙在1.65eV‑1eV之间,从首层至末层由高能隙层向低能隙层排列,且任意相邻两层之间的能隙差在0.01–0.1eV之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南共创光伏科技有限公司,未经湖南共创光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520222844.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top