[实用新型]一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520222844.0 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN204497246U | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;刘佳芳 |
地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池,该电池包括由CIGS吸收层和CdS缓冲层所形成的pn结,所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池的pn结构中的CIGS吸收层为具有能隙梯度的Cuy(In1-xGax)Se2多层结构,其中0≤x≤1,0≤y≤1。这种梯度结构能够分离和捕捉游离电子,在太阳光的激发下,形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。该梯度结构避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成,制备了致密的、晶粒尺寸大小均匀、能隙匹配的高质量的薄膜,同时,梯度结构有利于对太阳光的充分吸收。因而,进一步提高了铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 梯度 结构 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池,包括由CIGS吸收层和CdS缓冲层所形成的pn结,其特征是,所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池的pn结中的CIGS吸收层为具有能隙梯度的Cuy(In1‑xGax)Se2多层结构,其中0≤x≤1,0≤y≤1;所述Cuy(In1‑xGax)Se2多层结构的能隙在1.65eV‑1eV之间,从首层至末层由高能隙层向低能隙层排列,且任意相邻两层之间的能隙差在0.01–0.1eV之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南共创光伏科技有限公司,未经湖南共创光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520222844.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抗PID的太阳能组件结构
- 下一篇:芯片封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的