[实用新型]一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器有效

专利信息
申请号: 201520230510.8 申请日: 2015-04-16
公开(公告)号: CN204739999U 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01B7/30 分类号: G01B7/30;G01R33/09
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 215634 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器,包括至少一个推挽式磁电阻电桥以及位于所述推挽式磁电阻电桥上的软磁通量衰减器,所述推挽式磁电阻电桥包含多个磁电阻传感单元,所述磁电阻传感单元为MTJ或者GMR类型,每个磁电阻传感单元包含至少一个钉扎层、一个铁磁参考层、一个非磁性间隔层以及一个铁磁自由层,所述铁磁自由层为低纵横比椭圆形或者圆形,以使所述铁磁自由层磁化强度能够沿任意方向外磁场对齐排列;所述软磁通量衰减器覆盖在所有磁电阻传感单元表面,以衰减高强度外磁场到磁电阻传感单元可测量范围内;所述推挽式磁电阻电桥具有单向的或相互正交的参考层磁化方向;该发明能够测量高强度磁场旋转角度,并具有低功耗、小尺寸的优点。
搜索关键词: 一种 封装 强度 磁场 磁电 角度 传感器
【主权项】:
一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器,其特征在于,包括:至少一个推挽式磁电阻电桥和一衬底,所述推挽式磁电阻电桥包含2个或者4个磁电阻桥臂,每个所述磁电阻桥臂包含多个磁电阻传感单元,且内连成一个两端口结构,所述磁电阻传感单元为MTJ或者GMR类型,所述磁电阻传感单元沉积在所述衬底上,所有所述磁电阻桥臂通过电连接成电桥;所述磁电阻传感单元包含至少一个钉扎层、一个铁磁参考层、一个非磁性间隔层以及一个铁磁自由层,位于任一所述推挽式磁电阻电桥的至少一个所述磁电阻桥臂的所述磁电阻传感单元的所述铁磁参考层的磁化强度反向于剩余所述磁电阻桥臂的所述铁磁参考层的磁化强度;所述磁电阻传感单元的所述铁磁自由层为低纵横比的椭圆形或者圆形,以使得所述铁磁自由层磁化强度能够沿任意方向外磁场对齐排列;以及一个或多个软磁通量衰减器,所述软磁通量衰减器覆盖在所有所述磁电阻传感单元表面,以衰减外磁场,在所述角度传感器中,电子元件之间通过连接焊点或者硅穿孔连接。
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