[实用新型]防压降稳压电路

摘要

一种防压降稳压电路，所述晶体管组电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4，其中，晶体管Ml的漏极连接到VIN正端口，晶体管Ml的源极连接到晶体管M2的漏极与整流器D1的接线端4；所述晶体管M2的源极连接到VIN负端口，晶体管M3的源极连接到VIN正端口，晶体管M3的漏极连接到晶体管M4的源极、整流器D1的接线端2；所述晶体管M4的漏极连接到VIN负端口，晶体管M3的栅极连接到晶体管Ml的栅极，晶体管M4的栅极连接到晶体管M2的栅极，晶体管Ml,晶体管M3的栅极连接至VIN负端口；本实用新型不会产生压降，电压稳定，功率消耗小，具有较高的电压转换效率，使用无安全隐患。

主权项

一种防压降稳压电路，包括晶体管组电路、整流器D1、电位器W和VOUT端口；其特征在于，所述晶体管组电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4，其中，晶体管Ml的漏极连接到VIN正端口，晶体管Ml的源极连接到晶体管M2的漏极与整流器D1的接线端4；所述晶体管M2的源极连接到VIN负端口，晶体管M3的源极连接到VIN正端口，晶体管M3的漏极连接到晶体管M4的源极、整流器D1的接线端2；所述晶体管M4的漏极连接到VIN负端口，晶体管M3的栅极连接到晶体管Ml的栅极，晶体管M4的栅极连接到晶体管M2的栅极，晶体管Ml,晶体管M3的栅极连接至VIN负端口，晶体管M2,晶体管M4的栅极连接至VIN正端口；所述整流器D1的接线端口2、接线端口4分别连接VIN正端口、VIN负端口；所述整流器D1的接线端口1、接线端口3分别连接限位器W的负极固定端、正极固定端，接线端口1、接线端口3为整流器D1的输出端口；所述电位器W的滑动端与比较器U的同相输入端连接，比较器U的反向相输入端连接电压源VREF的正端口，电压源VREF的负端口同时连接整流器D1的接线端口3、电容C0的一端；所述比较器U的输出端驱动连接开关管MOS的G极，开关管MOS为PMOS型号；所述开关管MOS的S极串接电位器W的正极，电位器W的正极固定端作为电压可调整流电路的正极输出端，电位器W的负极固定端作为电压可调整流电路的负极输出端；所述开关管MOS的D极同时连接电容C0的另一端；所述电容C0并联电阻Rr，电阻Rr的两端连接VOUT端口。