[实用新型]一种防止炸机电路有效

专利信息
申请号: 201520242319.5 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN204649798U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 陈显林;彭解红;王安素;王仲;蔡海强;陈松;高红宝 申请(专利权)人: 乐雷光电技术(上海)有限公司
主分类号: G01R1/36 分类号: G01R1/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200331 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种防止炸机电路,其特征在于该电路包括:桥式整流电路DB1、变压器T1、二极管D1、二极管D2、场效应管晶体管Q1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R2、电阻R1、电容C1、二极管D3、PFC电路的输出端DRV。该电路能有效保护PFC-MOSFET,在加高压时,规避寄生电容门极累积电荷超出PFC-MOSFET门极电压应力。从而保护场效应管晶体管Q1,避免炸机。
搜索关键词: 一种 防止 机电
【主权项】:
一种防止炸机电路,其特征在于:该电路包括桥式整流电路DB1,DB1的负向输出端接地;DB1的正向输出端与变压器T1的一端及二极管D1的正向输入端公共连接,变压器T1的另一端与二极管D2的正向输入端、场效应管晶体管Q1的漏极、电容C2的一端公共连接;电容C2的另一端、场效应管晶体管Q1的源极接地;二极管D1的反向输入端、二极管D2的反向输入端、电容C3的一端、电容C4的一端公共连接;电容C3的另一端、电容C4的另一端接地GND;场效应管晶体管Q1的栅极、电阻R2的一端、电阻R1的一端,电容C1的一端、二极管D3的正向输入端公共连接;电阻R2的另一端、电容C1的另一端接地;PFC电路的输出端DRV、电阻R1的另一端、二极管D3的反向输入端公共连接;PFC电路的GND端接地。
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