[实用新型]半导体衬底结构、半导体封装有效
| 申请号： | 201520250903.5 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN204632752U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法。所述半导体衬底结构包含导电结构和电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面。所述电介质结构遮盖所述导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面。所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，且所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构包含光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 结构 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底结构，其包括：导电结构，其具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面；以及电介质结构，其遮盖所述导电结构的至少一部分，并具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面，其中所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进，其中所述电介质结构包含固化光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。
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