[实用新型]非易失性存储器以及在半导体芯片上的集成电路有效
| 申请号： | 201520251293.0 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN204966056U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | F·拉罗萨;S·尼埃尔;A·雷尼耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的各个实施例涉及单独地读出可访问的配对存储器单元。本实用新型涉及一种在半导体衬底上的非易失性存储器(MA2)，其包括：第一存储器单元，其包括浮置栅极晶体管(TRi,j)和具有嵌入式竖直控制栅极(CSG)的选择晶体管(ST)；第二存储器单元(Ci,j+1)，其包括浮置栅极晶体管(TRi,j+1)和具有与第一存储器单元的选择晶体管相同的控制栅极(CSG)的选择晶体管(ST)，第一位线(RBLj)，耦合至第一存储器单元的浮置栅极晶体管(TRi,j)，以及第二位线(RBLj+1)，耦合至第二存储器单元(Ci,j+1)的浮置栅极晶体管(TRi,j+1)。本实用新型还提供一种在半导体芯片上的集成电路，其包括上述非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 以及 半导体 芯片 集成电路 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底(PW)上的非易失性存储器(MEM2、MA2)，其特征在于包括：第一存储器单元(Ci,j)，包括电耦合至具有嵌入式竖直控制栅极(CSG)的选择晶体管(ST)的第一浮置栅极晶体管(TRi,j)，所述选择晶体管具有与所述嵌入式竖直控制栅极的第一面相对地延伸的竖直沟道区域(CH2)，第二存储器单元(Ci,j+1)，包括电耦合至选择晶体管(ST)的第一浮置栅极晶体管(TRi,j+1)，所述选择晶体管(ST)具有与所述第一存储器单元(Ci,j)的所述选择晶体管相同的控制栅极(CSG)、并且具有竖直沟道区域(CH2')，所述竖直沟道区域(CH2')与所述嵌入式竖直控制栅极的第二面相对地延伸、并且与所述第一存储器单元(Ci,j)的所述选择晶体管的所述沟道区域(CH1)相对地延伸，其特征在于，所述非易失性存储器(MEM2、MA2)包括：第一位线(RBLj)，电耦合至所述第一存储器单元(Ci,j)的所述第一浮置栅极晶体管(TRi,j)，以及第二位线(RBLj+1)，电耦合至所述第二存储器单元(Ci,j+1)的所述第一浮置栅极晶体管(TRi,j+1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(鲁塞)公司，未经意法半导体(鲁塞)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520251293.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
