[实用新型]用于自旋电子器件钉扎层的快速热处理装置有效
申请号: | 201520258284.4 | 申请日: | 2015-04-27 |
公开(公告)号: | CN204680696U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·G·迪克 | 申请(专利权)人: | 江苏多维科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22;G01R33/09 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;段晓玲 |
地址: | 215600 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于本地编程的自旋电子器件钉扎层的快速热处理装置,该装置包括快速热退火光源、反射罩、磁铁、晶圆、基片,其中所述的光源用于加热基片,所述的反射罩至少包括一个透明的绝缘层和反射层,所述的磁铁用于产生恒定的磁场,通过控制曝光时间,让晶圆的加热区域加热到反铁磁层阻隔温度之上,然后在应用的磁场中冷却下来,关闭磁场,反铁磁体被固定。本实用新型也公开了快速热处理的方法,本实用新型采用快速热退火提高了激光退火的空间分辨率,且性能优良,适合大批量生产。 | ||
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【主权项】:
一种用于自旋电子器件钉扎层的快速热处理的装置,其特征在于:该装置包括快速热退火光源、反射罩、磁铁、晶圆,所述的反射罩包括至少一个透明绝缘层和一反射层,所述的磁铁用于产生恒定的磁场,所述透明绝缘层和所述反射层依次涂覆在所述晶圆上,所述光源用于通过图形化的所述反射罩发送入射光至所述晶圆的加热区域,通过控制所述的光源的曝光时间,让所述的晶圆上的加热区域加热到其反铁磁层的阻隔温度之上,然后在应用的磁场中冷却下来,关闭磁场。
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