[实用新型]高亮度半导体激光器

摘要

本实用新型公开了高亮度半导体激光器，包括玻璃板、磷光层、栅极、绝缘体、电子发射尖锥、发射极、基板、阴极、侧板、脊形主震荡区、锥形增益放大区、和基底，所述基板上方设置有阴极，阴极两端分别设置有绝缘体，绝缘体上设置有栅极，阴极上方中心设置有发射极，发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，发射极上方设置有磷光层，磷光层下方设有基底，脊形主震荡区设置基底中部，锥形增益放大区设置在基底上，锥形增益放大区与脊形主震荡区连接。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提高了激光器的效率和功率，也保持了高光束质量，高亮度激光输出的良好结果，结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。

主权项

高亮度半导体激光器，包括玻璃板（1）、磷光层（2）、栅极（3）、绝缘体（4）、电子发射尖锥（5）、发射极（6）、基板（7）、阴极（8）、侧板（9）、脊形主震荡区（10）、锥形增益放大区（11）、侧向周期波导限制结构（12）和基底（13），其特征在于，所述基板（7）上方设置有阴极（8），所述阴极（8）两端分别设置有绝缘体（4），所述绝缘体（4）上设置有栅极（3），所述的阴极（8）上方中心设置有发射极（6），所述发射极（6）与栅极（3）之间分别设置有电子发射尖锥（5），所述发射极（6）上方设置有磷光层（2），所述磷光层（2）上方设置有玻璃板（1），磷光层（2）下方设有基底（13），基底（13）的一侧设置前腔面（14），在前腔面（14）对侧的基底（13）侧面上设置后腔面（15），后腔面（15）贴近磷光层（2），脊形主震荡区（10）设置在靠近前腔面（14）的基底（13）中部，锥形增益放大区（11）设置在靠近后腔面（15）的基底（13）上，锥形增益放大区（13）与脊形主震荡区（10）连接，脊形主震荡区（10）另一侧正对电子发射尖锥（5），脊形主震荡区（10）两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构（12），所述玻璃板（1）、基板（7）、侧板（9）构成封闭结构。