[实用新型]半导体芯片版面结构有效
| 申请号： | 201520279362.9 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN204632763U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王金富;沈晓东;王文源;叶新民 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰;沈国安 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体芯片版面结构，其特征在于它包括GR环掺杂区（1）、基区掺杂区（2）和发射区掺杂区（3），所述GR环掺杂区（1）位于基区掺杂区（2）的外围，且两者紧密相连，所述发射区掺杂区（3）位于基区掺杂区（2）内部，所述GR环掺杂区（1）的结深大于基区掺杂区（2）的结深。本实用新型一种新型半导体芯片版面结构，其“GR环”结深设计的较深，以提高击穿电压BVCBO典型值；同时基区结深设计的比较浅，基区宽度较小，可以得到较理想的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 版面 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片版面结构，其特征在于它包括GR环掺杂区（1）、基区掺杂区（2）和发射区掺杂区（3），所述GR环掺杂区（1）位于基区掺杂区（2）的外围，且两者紧密相连，所述发射区掺杂区（3）位于基区掺杂区（2）内部，所述GR环掺杂区（1）的结深大于基区掺杂区（2）的结深。
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