[实用新型]卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜设备有效
| 申请号： | 201520286251.0 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN204644456U | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈晓红;孙卓;朴贤卿;张哲娟 | 申请（专利权）人： | 上海产业技术研究院;华东师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体地说是一种卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜设备。其特征在于：镀膜室的一端连接放卷室，镀膜室的另一端连接收卷室，并且镀膜室与放卷室的连接处及镀膜室与收卷室的连接处分别设有可通过柔性基片的狭长缝隙；所述的镀膜室的中央设有冷却辊，位于冷却辊的前方分别设有线性等离子体源、磁控溅射阴极及柱状多弧源，并且线性等离子体源、磁控溅射阴极及柱状多弧源分别采用挡板隔开。同现有技术相比，线性等离子体源、磁控溅射阴极、柱状多弧源所对应的腔体，采用半开放式，分别独立通气，半开放式腔体气压和气体组分适当可调，有利于沉积出质量优良的薄膜，并很好节约设备投入成本。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 阴极 柱状 多弧源 相结合 真空镀膜 设备 | ||
【主权项】：
一种卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜设备，包括放卷室、镀膜室、收卷室、柔性基片，其特征在于：镀膜室（11）的一端连接放卷室（1），镀膜室（11）的另一端连接收卷室（14），并且镀膜室（11）与放卷室（1）的连接处及镀膜室（11）与收卷室（14）的连接处分别设有可通过柔性基片（3）的狭长缝隙（12）；所述的镀膜室（11）的中央设有冷却辊（6），位于冷却辊（6）的前方分别设有线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9），并且线性等离子体源（7）、磁控溅射阴极（8）及柱状多弧源（9）分别采用挡板（5）隔开。
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