[实用新型]一种高亮正装LED芯片有效
| 申请号： | 201520292160.8 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN204614807U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;郝锐;易翰翔;叶国光;罗长得 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延层包括自下而上制作在衬底上的N型层、发光层和P型层，外延层的一侧壁蚀刻至N型层的台面并制作有N型电极，所述透明导电层形成于P型层表面并制作有P型电极，其特征在于：所述绝缘层形成于透明导电层表面并自外延层侧壁延伸至N型层表面，P型电极和N型电极至少有一个电极是部分制作在绝缘层上。本实用新型的高亮正装LED芯片，通过改进P型电极下的绝缘层、透明导电层、P-GaN层等结构，减少刻蚀N型层台面的面积，增加发光区面积，同时通过改变折射角增强P型电极下的出光效果，提升LED芯片的亮度，还使电极设计多样化并降低了掉电极风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高亮正装 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延层包括自下而上制作在衬底上的N型层、发光层和P型层，外延层的一侧壁蚀刻至N型层的台面并制作有N型电极，所述透明导电层形成于P型层表面并制作有P型电极，其特征在于：所述绝缘层形成于透明导电层表面并自外延层侧壁延伸至N型层表面，P型电极和N型电极至少有一个电极是部分制作在绝缘层上。
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