[实用新型]一种纵向高压半导体器件有效
申请号: | 201520293261.7 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN204760390U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 梅冬 | 申请(专利权)人: | 西安西奈电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区沣*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种纵向高压半导体器件,包括:N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂阱区、P型掺杂体区、高浓度N型掺杂区、第一多晶硅场板、第二多晶硅场板、第三多晶硅场板、第四多晶硅场板、漏极金属电极及截止环电极。本实用新型结构可以在耐压时实现双向耗尽,减小芯片尺寸,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 纵向 高压 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种纵向高压半导体器件,其特征在于,包括:N型掺杂半导体衬底(1)、N型掺杂外延层(2)、P型掺杂阱区(3)、P型掺杂体区(4)、高浓度N型掺杂区(5)、多晶硅栅(6)、第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)、第四多晶硅场板(64)、漏极金属电极(10)及截止环电极(12);在所述N型掺杂半导体衬底(1)上面设有N型掺杂外延层(2),在所述N型掺杂外延层(2)的内部设有P型掺杂阱区(3)和P型掺杂体区(4),在所述P型掺杂体区(4)的上侧设有N型掺杂区(5),在部分所述N型掺杂外延层(2)和部分所述P型掺杂阱区(3)、部分所述P型掺杂体区(4)的上方设有栅氧化层,在部分所述栅氧化层的上方设有多晶硅栅(6)、第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)和第四多晶硅场板(64);所述P型掺杂体区(4)、N型掺杂区(5)、所述多晶硅栅(6)和部分所述N型掺杂外延层(2)共同构成所述纵向高压半导体器件的内部原胞区域(C),所述P型掺杂阱区(3)、部分所述P型掺杂体区(4)、部分所述N型掺杂区(5)、所述第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)和第四多晶硅场板(64)和部分所述N型掺杂外延层(2)共同构成所述纵向高压半导体器件的终端耐压结构区域(T);在所述内部原胞区域(C)的上方设有金属层,构成了所述纵向高压半导体器件的源极金属电极(8),在所述N型掺杂衬底(1)的下方设有金属层,构成了所述纵向高压半导体器件的漏极金属电极(10),在部分所述N型掺杂外延层(2)的上方设有金属层,构成了所述纵向高压半导体器件的截止环电极(12),所述多晶硅栅(6)在内部原胞区域构成了所述纵向高压半导体器件的栅电极,所述第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)和第四多晶硅场板(64)在终端耐压结构区域构成了多晶硅场板结构,所述第二多晶硅场板(62)与所述纵向高压半导体器件的源极金属电极(8)相连,所述第四多晶硅场板(64)与所述纵向高压半导体器件的截止环电极(12)相连,其特征在于,多个所述P型掺杂阱区(3)和多个所述第三多晶硅场板(63)构成所述终端区域(T)的耐压结构。
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