[实用新型]一种纵向高压半导体器件有效

专利信息
申请号: 201520293261.7 申请日: 2015-05-08
公开(公告)号: CN204760390U 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 梅冬 申请(专利权)人: 西安西奈电子科技有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市高新区沣*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种纵向高压半导体器件,包括:N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂阱区、P型掺杂体区、高浓度N型掺杂区、第一多晶硅场板、第二多晶硅场板、第三多晶硅场板、第四多晶硅场板、漏极金属电极及截止环电极。本实用新型结构可以在耐压时实现双向耗尽,减小芯片尺寸,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 纵向 高压 半导体器件
【主权项】:
一种纵向高压半导体器件,其特征在于,包括:N型掺杂半导体衬底(1)、N型掺杂外延层(2)、P型掺杂阱区(3)、P型掺杂体区(4)、高浓度N型掺杂区(5)、多晶硅栅(6)、第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)、第四多晶硅场板(64)、漏极金属电极(10)及截止环电极(12);在所述N型掺杂半导体衬底(1)上面设有N型掺杂外延层(2),在所述N型掺杂外延层(2)的内部设有P型掺杂阱区(3)和P型掺杂体区(4),在所述P型掺杂体区(4)的上侧设有N型掺杂区(5),在部分所述N型掺杂外延层(2)和部分所述P型掺杂阱区(3)、部分所述P型掺杂体区(4)的上方设有栅氧化层,在部分所述栅氧化层的上方设有多晶硅栅(6)、第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)和第四多晶硅场板(64);所述P型掺杂体区(4)、N型掺杂区(5)、所述多晶硅栅(6)和部分所述N型掺杂外延层(2)共同构成所述纵向高压半导体器件的内部原胞区域(C),所述P型掺杂阱区(3)、部分所述P型掺杂体区(4)、部分所述N型掺杂区(5)、所述第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)和第四多晶硅场板(64)和部分所述N型掺杂外延层(2)共同构成所述纵向高压半导体器件的终端耐压结构区域(T);在所述内部原胞区域(C)的上方设有金属层,构成了所述纵向高压半导体器件的源极金属电极(8),在所述N型掺杂衬底(1)的下方设有金属层,构成了所述纵向高压半导体器件的漏极金属电极(10),在部分所述N型掺杂外延层(2)的上方设有金属层,构成了所述纵向高压半导体器件的截止环电极(12),所述多晶硅栅(6)在内部原胞区域构成了所述纵向高压半导体器件的栅电极,所述第二多晶硅场板(62)、第三多晶硅场板(63)和第四多晶硅场板(64)在终端耐压结构区域构成了多晶硅场板结构,所述第二多晶硅场板(62)与所述纵向高压半导体器件的源极金属电极(8)相连,所述第四多晶硅场板(64)与所述纵向高压半导体器件的截止环电极(12)相连,其特征在于,多个所述P型掺杂阱区(3)和多个所述第三多晶硅场板(63)构成所述终端区域(T)的耐压结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安西奈电子科技有限公司,未经西安西奈电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520293261.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top