[实用新型]一种IGBT芯片的结构

摘要

本实用新型公开了一种IGBT芯片的结构，包括ＭＯＳ场效应晶体管和三极管组成的ＩＧＢＴ单元，还包括控制开关Ｑ、电极N₂⁺和隔离罩，所述ＩＧＢＴ单元设置在隔离罩内，隔离罩设置在电极N₂⁺内，控制开关Ｑ分别与电极N₂⁺和三极管连接，当ＩＧＢＴ单元正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，当ＩＧＢＴ单元反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态。本实用新型在不影响性能参数的同时基本解决了拖尾（snapback），并有效的将二极管集成在IGBT内部，真正实现了IGBT既有低的导通压降又有良好的开关速度，大大提高了器件的可靠性。

主权项

一种IGBT芯片的结构，包括ＭＯＳ场效应晶体管和三极管组成的ＩＧＢＴ单元，其特征在于：还包括控制开关Ｑ、电极N₂⁺和隔离罩，所述ＩＧＢＴ单元设置在隔离罩内，隔离罩设置在电极N₂⁺内，控制开关Ｑ分别与电极N₂⁺和三极管连接。