[实用新型]一种磁控溅射台磁水平检测装置有效
申请号: | 201520327826.9 | 申请日: | 2015-05-19 |
公开(公告)号: | CN204644460U | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 乔宪武;吴昊 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54;G01R33/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种次测量装置,特别适用于金属薄膜沉积过程中,一种磁控溅射台磁水平检测装置,包括亥姆霍兹线圈、沉积台和升降台,其特征在于:所述装置包括磁感应强度探针安装在沉积台水平表面上,沉积台在升降台的作用下,位置可以移动。本实用新型有益效果:本实用新型提供一种测量装置,解决匀强磁场和沉积台平面共面的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 水平 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种磁控溅射台磁水平检测装置,包括亥姆霍兹线圈(1)、沉积台(3)和升降台(4),其特征在于:所述装置包括磁感应强度探针(2)安装在沉积台(3)水平表面上,沉积台(3)在升降台(4)的作用下,位置可以移动。
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