[实用新型]具有高效能的静电防护能力的功率晶体管

摘要

一种具有高效能静电防护能力的功率晶体管，包含第一型态的第一掺杂层、二第一栅极、第二型态的第一阱区、第一型态的二第二掺杂区、第一金属接触、第二型态的二第二阱区及第二金属接触。第一掺杂层形成于半导体基底背面，作为漏极。第一栅极设于半导体基底上表面上。第一阱区形成于上表面。第一型态互补于第二型态。第二掺杂区形成于上表面与第一阱区内。第一金属接触电接触第二掺杂区与第一阱区，作为第一源极。第一栅极可控制漏极与第一源极间电连接。第二阱区形成于上表面。第二金属接触电性接触第二阱区间的上表面，作为第二源极。第二阱区与第二金属接触间的电压差可控制漏极与第二源极间的电连接，当电压差为0V时，漏极电连接至第二源极。

主权项

一种具有高效能静电放电防护的垂直型功率晶体管，其特征在于，该垂直型功率晶体管包含有：第一型态的第一掺杂层，形成于一半导体基底的背面，作为一漏极；二第一栅极，设于该半导体基底的上表面之上；第二型态的第一阱区，形成于该上表面，其中，该第一型态互补于该第二型态；第一型态的二第二掺杂区，形成于该上表面与该第一阱区内；第一金属接触，电性接触该二个第二掺杂区与该第一阱区，作为一第一源极，其中，该二个第一栅极可控制该漏极与该第一源极之间的电连接；二第二栅极，与该第一栅极共平面地设于该上表面之上；第二型态的第二阱区，形成于该上表面；第一型态的第三掺杂区，与该第二掺杂区共平面地形成于该上表面与该第二阱区内；以及第二金属接触，电性接触该二个第二掺杂区，作为一第二源极，其中，该二个第二栅极可控制该漏极与该第二源极之间的电连接；其中，该第三掺杂区阻隔，使该第二金属接触不接触该第二阱区。