[实用新型]适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构有效

专利信息
申请号: 201520342349.3 申请日: 2015-05-25
公开(公告)号: CN204903075U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 林相平 申请(专利权)人: 林相平
主分类号: G01L19/00 分类号: G01L19/00;G01D21/02;G01D11/00
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 郑海
地址: 266000 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型涉及传感器芯片领域,尤其涉及一种适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构,包括管座和MEMS传感器芯片,在管座的外部设有支撑层,支撑层上设有可用来放置MEMS传感器芯片的凹槽,MEMS传感器芯片嵌入该凹槽内,并有相对自由的活动间隙;在支撑层的上表面与嵌入后的MEMS传感器芯片相适配的位置处安置有四个限位片,防止所述MEMS传感器芯片从凹槽中滑出。由于没有将传感器芯片与封装结构键合为固定的一体,而保证了芯片有一定裕度的活动空间,从而将传感器的封装应力降低到最小,同时为传感器芯片提供了有效的物理支撑和机械保护。
搜索关键词: 适用于 mems 传感器 芯片 应力 封装 结构
【主权项】:
一种适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构,包括管座(1)和MEMS传感器芯片(4),其特征在于:在管座的外部设有支撑层(2),支撑层(2)上设有可用来放置MEMS传感器芯片的凹槽(3),所述MEMS传感器芯片(4)嵌入该凹槽(3)内,并有相对自由的活动间隙;在支撑层(2)的上表面与嵌入后的MEMS传感器芯片(4)相适配的位置处安置有四个限位片(5),以防止所述MEMS传感器芯片(4)从所述凹槽(3)中滑出。
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