[实用新型]高速率光耦集成芯片有效
| 申请号： | 201520349013.X | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN204517789U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 沈震强 | 申请（专利权）人： | 沈震强 |
| 主分类号： | H03K19/14 | 分类号： | H03K19/14 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214145 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高速率光耦集成芯片，光耦包括光发射部分、光接收部分以及信号放大部分，所述光耦的光接收部分和信号放大部分增加第二晶体管T2和二极管D；所述第二晶体管T2的集电极分别与光敏二极管PD的正极和第一晶体管T1的基极连接，第二晶体管T2的发射极接地，第二晶体管T2的基极连接第一晶体管T1的发射极；所述二极管D的正极连接第一晶体管T1发射极，二极管D的负极接地。本实用新型通过在光耦的输出端光敏芯片中增加第二晶体管T2和二极管D，能够使第一晶体管迅速脱离深度饱和状态，加速第一晶体管的结电容放电，在输出负载电阻恒定时，大大提高了光耦的输出速率。 | ||
| 搜索关键词： | 速率 集成 芯片 | ||
【主权项】：
高速率光耦集成芯片，所述光耦包括光发射部分、光接收部分以及信号放大部分，其特征在于，所述光耦的光接收部分和信号放大部分增加第二晶体管T2和二极管D；所述第二晶体管T2的集电极分别与光敏二极管PD的正极和第一晶体管T1的基极连接，第二晶体管T2的发射极接地，第二晶体管T2的基极连接第一晶体管T1的发射极；所述二极管D的正极连接第一晶体管T1发射极，二极管D的负极接地。
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