[实用新型]带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管有效
| 申请号： | 201520349799.5 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN204614773U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N-型GaN层，第一欧姆接触层和N-型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N-型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 悬空 引线 结构 gan 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）上表面的两个有源区设有高掺杂的N+型GaN层（2），两个高掺杂的N+型GaN层（2）之间设有隔离槽（3），左侧高掺杂的N+型GaN层（2）的上表面设有第一欧姆接触层（4）和N‑型GaN层（5），第一欧姆接触层（4）和N‑型GaN层（5）保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层（2）的上表面设有第二欧姆接触层（6），所述N‑型GaN层（5）的上表面设有肖特基接触层（7），所述肖特基接触层（7）与第二欧姆接触层（6）之间通过空气桥（8）进行连接，所述第一欧姆接触层（4）上设有第一悬空梁式引线（9），所述空气桥（8）上设有第二悬空梁式引线（10）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520349799.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆级芯片封装结构
- 下一篇：一种方便安装和拆卸的磁控管
