[实用新型]一种功率控制电路有效
| 申请号： | 201520356411.4 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN204631677U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张世雄;邱卫强 | 申请（专利权）人： | 杭州华三通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/66 | 分类号： | G05F1/66 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 310052 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率控制电路，所述电路用于缓启动电路；所述缓启动电路包括P型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述P型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第三端；所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第三端；所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述P型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的增加而变大。采用本实用新型的功率控制电路，能够限制缓启动电路上电时在P型MOSFET上产生的功率，解决上电时P型MOSFET进入热不稳定区导致失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 控制电路 | ||
【主权项】：
一种功率控制电路，其特征在于，所述电路用于缓启动电路；所述缓启动电路包括：P型金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一电容和第二电容；其中，所述P型MOSFET的源极和所述第一电容的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第一电容的另一端接所述二极管的阳极和所述第一电阻的一端；所述P型MOSFET的漏极接所述缓启动电路的第二端；所述P型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第三端；所述第一二极管的阴极和所述第二电阻的一端接所述P型MOSFET的栅极；所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端接地；所述第二电容接在所述P型MOSFET的漏极和所述P型MOSFET的栅极之间；所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第三端；所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述P型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的增加而变大。
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