[实用新型]三维堆叠MEMS封装结构

摘要

本实用新型公开了一种三维堆叠MEMS封装结构，采用一中介层作为连接MEMS芯片与IC芯片的桥梁，该中介层的尺寸大于IC芯片的尺寸或/和MEMS芯片的尺寸；中介层上设置有若干用于将该MEMS封装结构的电性导出的焊球。这样，此三维堆叠MEMS封装结构将不受MEMS芯片和IC芯片尺寸的限制，当IC芯片较大时，可将焊球设于中介层的下表面上，当MEMS芯片较大时，可将焊球设于中介层的上表面上，当IC芯片均较小时，焊球可任意设置在中介层的上表面或下表面上，因此，无论尺寸大小，均可采用此封装结构，从而满足MEMS的集成封装，达到降低生产成本，提高MEMS封装的集成度及封装良率的目的。

主权项

一种三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于，包括MEMS芯片(200)、中介层(300)和IC芯片(100)，所述中介层具有上表面(300a)和下表面(300b)，所述中介层的下表面中部具有凹槽，所述凹槽周边设有贯通所述上表面和下表面的若干导电通孔(6)；所述中介层的下表面与所述MEMS芯片的正面通过密封圈(3)键合密封连接，使所述凹槽与所述MEMS芯片中部的腔体(4)相对围成一密闭空腔，所述MEMS芯片的元件(5)位于所述密闭空腔内；所述IC芯片贴装于所述中介层的上表面，所述IC芯片的电性与所述MEMS芯片的电性通过所述导电通孔进行连接；所述中介层的尺寸大于所述IC芯片的尺寸或/和所述MEMS芯片的尺寸；所述中介层上设置有若干用于将该MEMS封装结构的电性导出的焊球(304)。