[实用新型]高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路有效
| 申请号： | 201520358124.7 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN204615793U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 程知群;颜国国;朱丹丹;陈帅;范凯凯;王凯 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 叶志坚 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由串联一个MOSFET stack和并联一个MOSFET stack组成，每组电路再串联一个MOSFET stack管，然后相互并联到主通路；每个MOSFET管的衬底都串联一个电容，电容的另一端接地；电路中栅极控制电压接在每个MOSFET管的栅极，衬底控制电压接在衬底与电容间的节点上。本实用新型结构较为简单、功耗小、电路集成度高。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 衬底 泄露 射频 开关电路 | ||
【主权项】：
高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，其特征在于：将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由串联一个MOSFET stack和并联一个MOSFET stack组成，每组电路再串联一个MOSFET stack管，然后相互并联到主通路；每个MOSFET管的衬底都串联一个电容，电容的另一端接地；电路中栅极控制电压接在每个MOSFET管的栅极，衬底控制电压接在衬底与电容间的节点上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520358124.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：省电电路及具有省电电路的电子设备
- 下一篇：一种太阳能晶硅电池漏电检测分析仪
