[实用新型]一种功率控制电路

摘要

本实用新型公开了一种功率控制电路，用于缓启动电路；所述缓启动电路包括N型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述N型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第四端；所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第四端；所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述N型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的减小而变大。采用本实用新型的功率控制电路，能够限制缓启动电路上电时在N型MOSFET上产生的功率，解决上电时N型MOSFET进入热不稳定区导致失效的问题。

主权项

一种功率控制电路，其特征在于，所述电路用于缓启动电路；所述缓启动电路包括：第一电阻、N型金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一电容；其中，所述第一电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第一电阻的另一端接所述N型MOSFET的栅极；所述N型MOSFET的源极接所述缓启动电路的第二端；所述N型MOSFET的漏极接所述缓启动电路的第三端；所述N型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第四端；所述第一电容接在所述N型MOSFET的栅极和漏极之间；所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第四端；所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述N型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的减小而变大。