[实用新型]一种压力传感器有效
| 申请号： | 201520364237.8 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN204758178U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 孙艳美 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00;G01L19/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种压力传感器，包括具有内腔的衬底，所述衬底的上表面通过绝缘层键合有悬置在内腔上方的压敏电阻膜层，所述压敏电阻膜层包括单晶硅片，还包括形成在单晶硅片邻近内腔一侧的重掺杂区、轻掺杂区；在所述单晶硅片的上端对应地设置有贯通至重掺杂区的凹槽，所述凹槽中设置有连接重掺杂区的金属部。本实用新型的压力传感器，其结构简单，形成压敏电阻膜层的重掺杂区、轻掺杂区位于单晶硅片的下端，从而可以使压敏电阻膜层的敏感部分与外界隔离开来，可以避免外界酸碱物质、粉尘颗粒等杂质对压敏电阻膜层敏感部分所带来的影响，提高了压力传感器的可靠程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于：包括具有内腔(8)的衬底(1)，所述衬底(1)的上表面通过绝缘层(2)键合有悬置在内腔(8)上方的压敏电阻膜层，所述压敏电阻膜层包括单晶硅片(3)，还包括形成在单晶硅片(3)邻近内腔(8)一侧的重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)；在所述单晶硅片(3)的上端对应地设置有贯通至重掺杂区(5)的凹槽(6)，所述凹槽(6)中设置有连接重掺杂区(5)的金属部(7)。
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