[实用新型]一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘有效

专利信息
申请号: 201520367958.4 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN204714941U 公开(公告)日: 2015-10-21
发明(设计)人: 孙一军;李鸿渐;李盼盼;赵新印;王明洋;金豫浙;李志聪;王辉;王国宏 申请(专利权)人: 扬州中科半导体照明有限公司
主分类号: C30B25/12 分类号: C30B25/12;C30B29/40
代理公司: 扬州市锦江专利事务所 32106 代理人: 江平
地址: 225009 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘,在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔,在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽,以所述中心片槽为对称中心,在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽,其特征在于:在所述中心片槽的底部开设内凹槽。通过石墨盘与空隙热导率的差异降低中心片的温度,增加中心片波长,使中心片与边缘片波长一致,从而提高外延片生产的波长良率。
搜索关键词: 一种 提高 mocvd 外延 波长 卫星
【主权项】:
一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘,包括卫星盘体,在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔,在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽,以所述中心片槽为对称中心,在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽,其特征在于:在所述中心片槽的底部开设内凹槽。
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