[实用新型]一种无需黏着剂的新型ITO导电膜

摘要

本实用新型提供了一种无需黏着剂的新型ITO导电膜，包括基材层以及在基材层上表面上依次叠设的光学调整层、ITO层、导电密着层、铜导电层、导电阻绝层，所述导电密着层厚度为1～100nm，所述铜导线层厚度为50nm～800nm，所述导电阻绝层厚度为1～100nm，所述ITO层厚度为20nm～30nm，表面电阻取值范围选择≦400Ω/□。本实用新型在ITO导电膜上直接将铜导电层制作于ITO上方，不需要添加黏着剂，同时也解决了绕曲的问题。

主权项

一种无需黏着剂的新型ITO导电膜，包括基材层(1)、其特征在于：还包括在基材层(1)上表面上依次叠设的光学调整层(2)、ITO层(3)、导电密着层(4)、铜导电层(5)、导电阻绝层(6)，所述导电密着层(4)厚度为1～100nm，所述铜导线层(5)厚度为50nm～800nm，所述导电阻绝层(6)厚度为1～100nm，所述ITO层(3)厚度为20nm～30nm，表面电阻取值范围选择≦400Ω/□。