[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201520373713.2 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN204632761U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰;徐泽 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供图像传感器，包括：多个呈阵列排布的像素单元，像素单元包括：源跟随晶体管，源跟随晶体管的沟道区区域靠近栅极氧化层内表面设置有第一N型掺杂区域，或者源跟随晶体管的沟道区区域沿栅极氧化层向内依次设置有P型掺杂区域，第二N型掺杂区域；源跟随晶体管的栅极氧化层较像素单元其它晶体管最厚的栅极氧化层薄至少5埃，增大源跟随晶体管的跨导。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：多个呈阵列排布的像素单元，所述像素单元包括：源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的沟道区区域靠近栅极氧化层内表面设置有第一N型掺杂区域，或者所述源跟随晶体管的沟道区区域沿栅极氧化层向内依次设置有P型掺杂区域，第二N型掺杂区域；所述源跟随晶体管的栅极氧化层较所述像素单元其它晶体管最厚的栅极氧化层薄至少5埃，增大所述源跟随晶体管的跨导。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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