[实用新型]用于蓝宝石双抛片的加工结构有效
| 申请号： | 201520414465.1 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN204935348U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;张学军;吴俣;孟繁志;姜晓龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/11 | 分类号： | B24B37/11;C09G1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于蓝宝石双抛片的加工结构。它包括依次排列的B4C磨料粗磨结构、研磨粗抛结构和CMP精抛结构，B4C磨料粗磨结构包括240#的B4C磨料的双面粗磨结构及W40的B4C磨料的二次双面粗磨结构，研磨粗抛结构包括钻石液，CMP精抛结构包括硅溶胶抛光液。本实用新型针对目前蓝宝石晶片双抛工艺制程中B4C磨料双面精磨时易于碎片以及双面CMP抛光时去除效率低、抛光时间长等问题，保证表面质量的同时，有效的提高了抛光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蓝宝石 双抛片 加工 结构 | ||
【主权项】：
一种用于蓝宝石双抛片的加工结构，其特征在于它包括依次排列的B4C磨料粗磨结构、研磨粗抛结构和CMP精抛结构，B4C磨料粗磨结构包括240#的B4C磨料的双面粗磨结构及W40的B4C磨料的二次双面粗磨结构，研磨粗抛结构包括钻石液，CMP精抛结构包括硅溶胶抛光液。
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