[实用新型]晶圆承载装置有效
申请号: | 201520419576.1 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN204732386U | 公开(公告)日: | 2015-10-28 |
发明(设计)人: | 王泰兴;宋坤锭;钟富全;谢锦焕;吴明璋 | 申请(专利权)人: | 晟铭电子(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 寇闯 |
地址: | 315800 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种晶圆承载装置,包含上盖体、板体及下盖体。上盖体本体具有第一静电屏蔽层,且上盖体内部镂空形成中空部。板体嵌设在中空部中。下盖体本体具有第二静电屏蔽层,下盖体的一端可拆卸地枢接在上盖体一端,下盖体的一面由中心至邻近外缘的部分朝另一面凹陷形成容纳空间,以容纳晶圆组件。其中,上盖体受外力远离下盖体并且由第一位置位移至第二位置时,上盖体的一面与下盖体的所述面间具有默认角度。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆承载装置,其特征在于,包含:上盖体,所述上盖体的本体具有第一静电屏蔽层,并且所述上盖体的内部镂空形成中空部;板体,嵌设在所述中空部中;以及下盖体,所述下盖体的本体具有第二静电屏蔽层,所述下盖体的一端可拆卸地枢接在所述上盖体的一端,所述下盖体的一面由中心至邻近外缘的部分朝另一面凹陷形成容纳空间,以容纳晶圆组件;其中,所述上盖体受外力远离所述下盖体且由第一位置位移至第二位置时,所述上盖体的一面与所述下盖体的所述面间具有默认角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造