[实用新型]一种高压MOSFET器件的终端结构有效
| 申请号： | 201520429714.4 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204696121U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。本实用新型是一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95％左右。改善电场分布，提高终端稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 mosfet 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，其特征在于，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。
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