[实用新型]一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波放大器有效
| 申请号： | 201520430315.X | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204669313U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高怀;丁杰;王锋;祖慧慧 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，包括：金属底板；所述金属底板的上表面设置有PCB板和热沉；所述PCB板上设置有第一功率放大器；所述热沉上设置有第二功率放大器；所述第二功率放大器的输入端与所述第一功率放大器的输出端连接；其中，所述第一功率放大器为GaAs功率放大器，所述第二功率放大器为LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，结合GaAs和LDMOS/GaN两种器件的优点，使得所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器的整体电路具有高频、高增益、高线性度、大功率、高效率等特点，且集成度高，封装成本低，应用更方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pcb 工艺 gaas ldmos gan 混合 集成 微波 放大器 | ||
【主权项】：
一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，其特征在于，包括：金属底板；所述金属底板的上表面设置有PCB板和热沉；所述PCB板上设置有第一功率放大器；所述热沉上设置有第二功率放大器；所述第二功率放大器的输入端与所述第一功率放大器的输出端连接；其中，所述第一功率放大器为GaAs功率放大器，所述第二功率放大器为LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。
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