[实用新型]一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构

摘要

本实用新型公开了一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构。器件包括AlGaN/GaN HEMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HEMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联，使得AlGaN/GaN HEMTs器件在阻断状态工作时，当漏端电压超过器件的额定阻断电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定漏端电压，并且通过Si基二极管的雪崩效应产生雪崩电流，反馈给保护电路。从而保护器件本身以及整个电路系统，增强器件和系统的安全性与稳定性。该封装结构的特点包括直接将垂直结构的Si基二极管焊接到AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极（Drain）上形成并联结构。

主权项

一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构，其特征是，阻断电压大于或者等于设计要求额定阻断电压的AlGaN/GaN HEMTs器件，反向额定耐压等于设计要求额定阻断电压垂直结构的Si基二极管，所述AlGaN/GaN HEMTs器件的衬底焊接到封装材料的绝缘基板上，所述Si基二极管的阴极焊接到AlGaN/GaN HEMTs器件的漏极Drain上面，所述Si基二极管的阳极通过金属引线与AlGaN/GaN HEMTs器件的栅极Gate相连，所述金属引线引出封装模块的栅极Gate、源极Source以及漏极Drain。