[实用新型]一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路有效
| 申请号： | 201520436419.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN204633719U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 沈美根;陈强;郑立荣;肖清;李贺;关晓龙 | 申请（专利权）人： | 江苏博普电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/52;H03F3/20 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英;董建林 |
| 地址： | 214131 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，调制信号及其经反相器后的反相信号输入逻辑电路经延时后，输出高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号；高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中，高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极；高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端。本实用新型的电路避免了GaN微波脉冲功率放大器漏极电压端放电速度慢产生拖尾现象，降低调制信号到漏极电压端的上升沿和下降沿延时时间，降低了漏极电压端的过冲电压幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 微波 功率 放大 器用 调制 电路 | ||
【主权项】：
一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，其特征是，包括反相器、逻辑电路、高端NMOS管驱动器、低端NMOS管驱动器、高端NMOS管、低端NMOS管和钳位二极管；调制信号TTL及该信号经所述反相器后的反相信号同时输入逻辑电路，经所述逻辑电路延时后，输出一比调制信号TTL延时的高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号；高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中，高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极；高端NMOS管NM1的漏极接第二电源；高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端，同时与低端NMOS管的漏极相连；低端NMOS管NM2的源极接地。
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