[实用新型]一种多子结化合物光伏电池有效
申请号: | 201520438166.1 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN204792857U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 司红康 | 申请(专利权)人: | 司红康 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/054;H01L31/0236 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237000 安徽省六安市安徽六安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种多子结化合物光伏电池,具体为InAlAsP/InGaAs/Ge三子结化合物光伏电池;本三子结化合物光伏电池具有连续的二阶凸起结构,包括具有斜面的第一阶凸起和包括斜面的第二阶凸起,高折射率透明材料m2形成在第二阶凸起之间的区域,顶面与第二阶凸起a的顶面齐平且为平坦的;高折射率透明材料m1形成在第一阶凸起之间的区域,顶面与第一阶凸起的顶面齐平并且接触高折射率透明材料m2;材料m1的折射率大于材料m2,照射到电池顶面的光线倾向于照射到二阶凸起结构的平坦表面上,可大大增加照射到具有优质外延层的平坦表面上的光强,从而增加光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多子结 化合物 电池 | ||
【主权项】:
一种多子结化合物光伏电池,即InAlAsP/InGaAs/Ge三子结化合物光伏电池,包括Ge衬底;Ge子电池,位于Ge衬底上;InGaAs子电池,位于Ge子电池上;InAlAsP子电池,位于InGaAs子电池上;在所述Ge衬底与Ge子电池之间包括n++ Ge接触层以及n++ Ge接触层之上的背场层;在InAlAsP子电池上为窗口层,窗口层上为p++接触层;Ge子电池与InGaAs子电池,InGaAs子电池与InAlAsP子电池之前具有晶格匹配的n++/p++遂穿二极管,其特征在于:所述多子结化合物光伏电池上部光照面形状为连续的二阶凸起结构,每一个二阶凸起结构具有第一阶凸起和第二阶起,其中第二阶凸起从第一阶凸起的上表面向上凸起;在二阶凸起结构之间形成高折射率透明材料,所述高折射率透明材料包括形成在第二阶凸起之间的区域的第二高折射率透明材料和形成在第一阶凸起之间的区域的第一高折射率透明材料;所述第二高折射率透明材料的顶面与第二阶凸起的顶面齐平且为平坦的;所述第一高折射率透明材料的顶面与第一阶凸起的顶面齐平并且接触第二高折射率透明材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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