[实用新型]LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种LED芯片，LED芯片从下向上依次包括，衬底、成核层、氮化物缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层、P型InGaN接触层，还包括与P型InGaN接触层电性导通的P电极，与N型GaN层电性导通的N电极，P型InGaN接触层中In的摩尔浓度向着远离所述P型GaN层的方向递增。本实用新型中与金属接触的是P型InGaN接触层，P型InGaN接触层中掺杂有高浓度的Mg，In的摩尔浓度为逐渐递增的渐变层结构并在接触面上达到最高值，P型InGaN接触层的空穴浓度较高，减少了与金属接触电阻率，增加了载流子通过隧穿穿越金属与半导体接触势垒区的几率，可以降低大功率LED芯片的工作电压，同时减少吸光，从而提高了大功率LED芯片的发光效率。

主权项

 一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的成核层；位于成核层上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的非掺杂GaN层；位于非掺杂GaN层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱层；位于多量子阱层上的P型AlGaN层；位于P型AlGaN层上的P型GaN层；位于P型GaN层上的P型InGaN接触层，所述P型InGaN接触层中In的摩尔浓度向着远离所述P型GaN层的方向递增；位于P型InGaN接触层上且与P型InGaN接触层电性导通的P电极，位于N型GaN层上且与N型GaN层电性导通的N电极。