[实用新型]稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置有效
| 申请号： | 201520441104.6 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN204668279U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，设有石英容器，所述石英容器内盛有CuSO4饱和溶液，所述CuSO4饱和溶液内放置有一硅片，所述硅片通过导线与直流电源的正极相连接，所述直流电源的负极通过导线与CuSO4饱和溶液内的电极相连通。本实用新型具有简单、操作方便、快速有效，在室温通风环境下即可实现，可保证高可靠器件的需求，同时避免了由于硅片表面硼硅相玻璃去除不干净导致硅片的报废。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压 扩散 后硼硅相 玻璃 去除 装置 | ||
【主权项】：
一种稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，设有石英容器（6），其特征在于：所述石英容器内盛有CuSO4饱和溶液（5），所述CuSO4饱和溶液内放置有一硅片（4），所述硅片通过导线与与直流电源（1）的正极相连接，所述直流电源的负极通过导线（2）与CuSO4饱和溶液内的电极（3）相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
