[实用新型]一种小尺寸石墨烯的场发射结构有效
| 申请号： | 201520448643.2 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN204706531U | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 乔宪武 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及薄膜半导体领域，具体涉及一种小尺寸石墨烯的场发射结构。一种小尺寸石墨烯的场发射结构，包括阳极和阴极，其特征在于：所述结构的阴极由石墨烯片和衬底组成。所述石墨烯片为小尺寸结构，所述结构沉积在衬底上表面。本实用新型有益效果：小尺寸石墨烯结构能够产生几何增强场，提高场发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 石墨 发射 结构 | ||
【主权项】：
一种小尺寸石墨烯的场发射结构，包括阳极(3)和阴极，其特征在于：所述结构的阴极由石墨烯片(1)和衬底(2)组成。
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