[实用新型]GaN基LED外延结构

摘要

本实用新型提供一种GaN基LED外延结构，LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型GaN层。其中，MQW有源层包括InGaN阱层、以及生长在InGaN阱层之上的掺杂垒层，掺杂垒层为Al_xGa_(1-x)N垒层，Al_xGa_(1-x)N垒层中Al的摩尔含量从与InGaN阱层接触的下表面到与P型GaN层接触的上表面先递增，再递减。本实用新型采用渐变的Al_xGa_（1-x）N多量子阱层结构形成能级梯度，与InGaN阱层形成的压应力减小，可以有效释放量子阱中的压应力，改善其极化电场效应，减弱量子阱内的斯托克斯效应，提高电子载流子和空穴载流子符合几率，提高内量子效率，从而提高LED的发光效率。

主权项

一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层， P型GaN层；所述MQW有源层包括InGaN阱层、以及生长在InGaN阱层之上的掺杂垒层，所述掺杂垒层为Al_xGa_(1‑x)N垒层，所述Al_xGa_(1‑x)N垒层中Al的摩尔含量从与所述InGaN阱层接触的下表面到与所述P型GaN层接触的上表面先递增，再递减。