[实用新型]III族氮化物衬底有效
| 申请号： | 201520454086.5 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN204905260U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王明月;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种III族氮化物衬底。所提供的衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。本实用新型的优点在于，只去除晶格损伤而不特别在意是否去除划痕，测试结果表明，与现有技术中采用无划痕衬底相比，所获得的外延层质量相同。因此，本实用新型摒弃了外延衬底一定要无划痕的技术偏见，提供了有划痕的衬底用于外延生长，节省了化学机械抛光带来的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 衬底 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物衬底，用于外延生长，其特征在于，所述衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm‑50nm，宽度范围是10nm‑500nm。
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