[实用新型]一种沟槽式IGBT芯片有效
| 申请号： | 201520457105.X | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204760389U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种沟槽式IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型注入区（9）以及其上方的N型缓冲区（8）、N型漂移区（7）、P-body型区（5），在P-body型区（5）上间隔开有沟槽（11），沟槽（11）两侧做有N+型区（4），其特征在于：所述沟槽（11）的深度小于P-body型区（5）的厚度，沟槽（11）整体位于P-body型区（5）中。在本实用新型的IGBT芯片中，做在P-body型区的沟槽（11）全部位于P-body型区内，因此在最大程度上消除了栅极G与集电极C之间的米勒电容，因此在整个导通过程中没有对米勒电容充电的过程，大大减小了芯片的开通及关断损耗，提高了器件的开关效率，特别适用于IGBT的高频适用场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种沟槽式IGBT芯片，包括底层的P型注入区（9），在P型注入区（9）上方依次设有N型缓冲区（8）、N型漂移区（7）以及P‑body型区（5），在P‑body型区（5）上间隔开有沟槽（11），沟槽（11）内表面设有栅氧化层（6）且内部填充有多晶硅（3），沟槽（11）两侧做有N+型区（4），在沟槽（11）以及N+型区（4）上方设有硼磷硅玻璃（2），芯片上方覆盖金属层（1），其特征在于：所述沟槽（11）的深度小于P‑body型区（5）的厚度，沟槽（11）整体位于P‑body型区（5）中。
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