[实用新型]电子器件有效
申请号: | 201520459794.8 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN204905254U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | M·阿加姆;T·姚;M·康姆瑞德 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/73 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及电子器件。本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。一种电子器件可包括具有主表面的半导体层和隔离结构。隔离结构可包含处于半导体层内并且具有第一导电性的第一阱区域、处于半导体层内并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域和处于半导体层内并且具有第一导电类型的第三阱区域。第二阱区域可被设置在第一和第三阱区域之间。第一、第二和第三阱区域可相互电连接。电子器件可有助于允许静电放电或类似事件中的更多电子在电子不成为问题的位置流动。可在不增加任何处理操作的情况下通过改变现有掩模实现形成电子器件的过程。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
【主权项】:
一种电子器件,其特征在于包括:具有主表面的半导体层;和隔离结构,所述隔离结构包含:处于所述半导体层内并且具有第一导电类型的第一阱区域;处于所述半导体层内并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域;和处于所述半导体层内并且具有所述第一导电类型的第三阱区域,其中,所述第二阱区域被设置在所述第一阱区域和所述第三阱区域之间,并且,所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域相互电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的