[实用新型]单刀六掷射频收发开关电路

摘要

本实用新型提出一种具有较小的尺寸和较低的成本，同时具有优良的线性度和隔离度的单刀六掷射频收发开关电路，它包括天线(1)，它还包括第一至十二MOS场效应管(2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13)；各MOS场效应管的G端用于与通断控制信号连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。

主权项

一种单刀六掷射频收发开关电路，它包括天线(1)，其特征在于，它还包括第一至十二MOS场效应管(2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13)，第一MOS场效应管(2)的S端、第二MOS场效应管(3)的S端均与第一GSM发射端Tx1连接，第三MOS场效应管(4)的D端、第四MOS场效应管(5)的D端均与第二GSM发射端Tx2连接，第五MOS场效应管(6)的D端、第六MOS场效应管(7)的D端均与第一GSM接收端Rx1连接，第七MOS场效应管(8)的S端、第八MOS场效应管(9)的S端均与第二GSM接收端Rx2连接，第九MOS场效应管(10)的D端、第十MOS场效应管(11)的D端均与WCDMA发射端TRx1连接，第十一MOS场效应管(12)的S端、第十二MOS场效应管(13)的S端均与WCDMA接收端TRx2连接，第二MOS场效应管(3)的D端、第四MOS场效应管(5)的S端、第六MOS场效应管(7)的S端、第七MOS场效应管(8)的D端、第十MOS场效应管(11)的S端、第十一MOS场效应管(12)的D端均与天线(1)连接，第一MOS场效应管(2)的D端、第三MOS场效应管(4)的S端、第五MOS场效应管(6)的S端、第八MOS场效应管(9)的D端、第九MOS场效应管(10)的S端、第十二MOS场效应管(13)的D端均与零电位参考点连接；各MOS场效应管的G端用于与通断控制信号连接；各MOS场效应管均设有P阱/深N阱和深N阱/P衬底的双二极管，其中深N阱和P阱浮空。