[实用新型]一种新型异质结太阳电池有效
申请号: | 201520514978.X | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN205016543U | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 郭万武;包健 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/0352;B82Y30/00 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型异质结太阳电池,包括基体层,其特征在于:所述基体层的背面依次设置背面本征层薄膜、重掺杂背面场层、第一导电介质层和金属电极;基体层的正面依次设置正面本征层薄膜、与基体层同型的轻掺杂纳米棒阵列、发射极第二导电介质层和金属电极,所述纳米棒阵列中的纳米棒间隔有序的分布在正面本征层薄膜之上,在纳米棒阵列间隙内部均匀包覆本征层薄膜以及发射极,在纳米棒阵列顶部完全覆盖本征层薄膜和发射极薄膜,且所述轻掺杂纳米棒阵列被正面本征层薄膜完全包覆并与发射极隔离。本实用新型有效地减小了载流子输运路径,利于载流子的收集;同时,提升了光利用率,改善电池的电流特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 异质结 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种新型异质结太阳电池,包括基体层(1),其特征在于:所述基体层(1)的背面依次设置背面本征层薄膜(2)、重掺杂背面场层(3)、第一导电介质层(4)和金属电极(9);基体层(1)的正面依次设置正面本征层薄膜(5)、与基体层(1)同型的轻掺杂纳米棒阵列(6)、发射极(7)、第二导电介质层(8)和金属电极(9),所述纳米棒阵列(6)中的纳米棒间隔有序的分布在正面本征层薄膜(5)之上,在纳米棒阵列(6)间隙内部均匀包覆本征层薄膜(5)以及发射极(7),在纳米棒阵列(6)顶部完全覆盖本征层薄膜(5)和发射极薄膜(7),且所述轻掺杂纳米棒阵列(6)被正面本征层薄膜(5)完全包覆并与发射极(7)隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的