[实用新型]一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸有效
| 申请号： | 201520519698.8 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN204857685U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 卢虹 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，属于半导体制造辅助设备技术领域，包括腐蚀缸体和片架，在腐蚀缸体的底部设有一垫板，在垫板底部的一端设有垫脚，垫板通过垫脚与腐蚀缸体的底面形成一倾斜角度，片架置于垫板的上方；本实用新型结构简单，将放置硅片的片架倾斜设置在腐蚀缸体的底部，利用硅片自身重力作用，使硅片有序的向同一方向倾斜，工作原理清晰，使腐蚀液能够充分接触硅片正面，完全避免了硅片正面和片架接触，彻底解决了硅片边缘待腐蚀薄膜腐不干净的现象，彻底解决了传统腐蚀工艺过程中腐蚀不均匀的问题，提高了产品的合格率，简化了产品生产的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆片 倾斜 腐蚀 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸，包括腐蚀缸体(1)和片架(2)，其特征在于：在所述腐蚀缸体(1)的底部设有一垫板(5)，在所述垫板(5)底部的一端设有垫脚(4)，所述垫板(5)通过所述垫脚(4)与所述腐蚀缸体(1)的底面形成一倾斜角度，所述片架(2)置于所述垫板(5)的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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