[实用新型]一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟有效

专利信息
申请号: 201520529734.9 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN204991668U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 苗利刚;史舸;魏海霞;李战国;李海涛;寇文辉;孟娟峰 申请(专利权)人: 麦斯克电子材料有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 罗民健
地址: 471000 河南省洛阳*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟,涉及一种多晶硅生长工艺中承载硅片用的舟,包括瓦片、设置在瓦片内的上槽棒和下槽棒,以及设置在瓦片底部的脚棒和舟插管,所述上槽棒设置为两个,下槽棒设置为一个并位于瓦片内底部的中心位置,在瓦片内下槽棒的两侧对称设有两个支撑棒,硅片通过上槽棒和下槽棒上开设的定位槽定位,并支撑在两个支撑棒上,两支撑棒的支撑面均为圆弧面,圆弧支撑面上设有磨砂层,该磨砂层上均布有颗粒状的凸起,以使硅片与两支撑棒之间的接触为多点接触。本实用新型能够减少多晶背封后硅片与舟之间的粘结力,以及硅片在舟槽内的变形,从而减少崩边的发生。
搜索关键词: 一种 减少 低压 化学 沉积 多晶 硅崩边
【主权项】:
一种减少低压化学气相沉积多晶硅崩边的舟,包括瓦片(5)、设置在瓦片(5)内的上槽棒(1)和下槽棒(2),以及设置在瓦片(5)底部的脚棒(4)和舟插管(6),其特征在于:所述上槽棒(1)设置为两个,下槽棒(2)设置为一个并位于瓦片(5)内底部的中心位置,在瓦片(5)内下槽棒(2)的两侧对称设有两个支撑棒(3),硅片(7)通过上槽棒(1)和下槽棒(2)上开设的定位槽定位,并支撑在两个支撑棒(3)上,两支撑棒(3)的支撑面均为圆弧面,圆弧支撑面上设有磨砂层(9),该磨砂层(9)上均布有颗粒状的凸起,以使硅片(7)与两支撑棒(3)之间的接触为多点接触。
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