[实用新型]连接结构体有效
申请号: | 201520532250.X | 申请日: | 2015-07-21 |
公开(公告)号: | CN204927244U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 森谷敏光;岩井慧子;川上晋;有福征宏;稗岛华世 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01R4/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;李家浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种连接结构体,该连接结构体是通过含有导电粒子的各向异性导电性膜的固化物将排列有第一电极的第一电路构件和排列有与第一电极相比厚度小的第二电极的第二电路构件连接而成的连接结构体,在各向异性导电性膜的固化物中,位于第一电极之间的中央区域的导电粒子的90%以上位于从第一电路构件的安装面至导电粒子平均粒径的200%以下的范围和相当于第一电极厚度的一半的范围中的任一较大的范围内。 | ||
搜索关键词: | 连接 结构 | ||
【主权项】:
一种连接结构体,其特征在于,其是通过含有导电粒子的各向异性导电性膜的固化物将排列有第一电极的第一电路构件和排列有与所述第一电极相比厚度小的第二电极的第二电路构件连接而成的连接结构体,所述各向异性导电性膜的固化物中,位于所述第一电极之间的中央区域的所述导电粒子的90%以上位于从所述第一电路构件的安装面至所述导电粒子平均粒径的200%以下的范围和相当于所述第一电极厚度的一半的范围中的任一较大的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造